2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

[20a-S621-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

2016年3月20日(日) 10:00 〜 12:15 S621 (南6号館)

岡野 誠(産総研)、庄司 雄哉(東工大)

11:45 〜 12:00

[20a-S621-7] ArF液浸露光技術を用いた高効率Si細線グレーティングカプラ

蘇武 洋平1、鄭 錫煥1、田中 有1、森戸 健1 (1.光電子融合基盤技術研究所)

キーワード:グレーティングカプラ、シリコンフォトニクス

シリコンフォトニクスを利用した集積光IO素子の送受信部における光ファイバとの結合手段としてグレーティングカプラ(GC)を検討した。送信部では、単一偏波GCに対してアポダイズ構造を適用することにより、波長1550nmにおいて結合損失-2.2dBを得た。受信部では、入力光ファイバが任意の偏波状態を有しても動作する偏波分離GCを適用し、その結合導波路及び散乱体形状を設計検討することで、結合損失-4.5dB、光クロストーク-14dBを実験的に確認した。