[20a-W321-1~10] 3.7 レーザープロセシング

△ [20a-W321-7] KrFエキシマレーザー照射によって形成されたSiC(0001)上グラフェンの成長過程の解明

〇(M2)服部 正和¹、池上 浩¹、中村 大輔¹、岡田 龍雄¹ (1.九州大学)

キーワード：グラフェン、SiC、レーザープロセッシング