[20a-W611-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[20a-W611-8] 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法を用いた単結晶シリコン太陽電池のリンイオン注入エミッタ層におけるキャリア分布の可視化

〇廣瀬 光太郎¹、棚橋 克人²、高遠 秀尚²、茅根 慎通¹、長 康雄¹ (1.東北大通研、2.産総研)

キーワード：半導体、ドーピング、容量

リンイオン注入及びリン拡散によりエミッタ層を形成した単結晶Si太陽電池のキャリア分布を超高次非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM)を用いて可視化した．SHO-SNDMは各測定点毎のCV特性を得ることができるプローブ顕微鏡であり，得られたCVカーブの形からp型/空乏層/n型を判別することができる．エミッタ層及び空乏層領域の分布が太陽電池表面のテクスチャ構造の影響を受けていることが判明した．