[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-1] Growth of 3C-SiC films on Si(001) and formation of stacking faults studied by X-TEM

〇Jun Yamasaki¹, Atsushi Ishida², Kensuke Akiyama³, Yasuo Hirabayashi³ (1.Osaka Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Kanagawa Ind. Tech. Ctr.)

Keywords:SiC,epitaxial film,electron microscope

Si(001)基板表面の炭化によるエピタキシャル3C-SiC膜の形成過程、および積層欠陥の発生過程を収差補正TEMを用いて詳細に解析した。