[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-1] Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層欠陥生成過程の断面TEM解析

〇山崎 順¹、石田 篤志²、秋山 賢輔³、平林 康男³ (1.阪大電顕セ、2.名大工、3.神奈川県産技セ)

キーワード：SiC、エピタキシャル膜、電子顕微鏡

Si(001)基板表面の炭化によるエピタキシャル3C-SiC膜の形成過程、および積層欠陥の発生過程を収差補正TEMを用いて詳細に解析した。