[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-H101-13] Relationship between Gate Leakage Conduction and Hole Trapping Characteristics in SiC MOS Devices

〇YOSHIHITO KATSU¹, Atthawut Chanthaphan¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:SiC MOS,carrier trapping,reliability

p型SiC基板上の熱酸化膜に界面特性の改善技術である界面窒化処理を施し、仕事関数の異なるゲート電極を有するキャパシタを作製し正バイアスストレス試験を行うことで、正孔捕獲挙動とゲートリーク伝導機構の相関を評価した。その結果、ゲート電極からの電子電流は正孔捕獲にほとんど影響せず、いずれの電極試料でも窒化処理による正孔捕獲促進傾向がみられた。