[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-13] SiC MOSデバイスにおけるゲートリーク伝導機構と正孔捕獲挙動の相関

〇勝 義仁¹、チャンタパン アタウット¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：SiC MOS、キャリア捕獲、信頼性

p型SiC基板上の熱酸化膜に界面特性の改善技術である界面窒化処理を施し、仕事関数の異なるゲート電極を有するキャパシタを作製し正バイアスストレス試験を行うことで、正孔捕獲挙動とゲートリーク伝導機構の相関を評価した。その結果、ゲート電極からの電子電流は正孔捕獲にほとんど影響せず、いずれの電極試料でも窒化処理による正孔捕獲促進傾向がみられた。