[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-14] Comparison between Electron and Hole Trap Density Distributions in Near-Interface Oxide of 4H-SiC MOS Capacitors

〇Yuki Fujino¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:silicon carbide,oxide traps,transient response

SiCの熱酸化で得られるMOSキャパシタにおいて、界面近傍の絶縁膜内部に形成された膜中準位の存在が指摘されている。我々は、キャリアがトンネル効果によって絶縁膜中の準位に捕獲されるモデルに基づき、応答の時定数に分布を持つ準位が引き起こす過渡応答から膜中準位密度を解析し、これまで伝導帯近傍の電子トラップの定量化を行った。今回は、正孔についても同測定を適用し、電子・正孔トラップの密度分布を比較した。