[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-14] 4H-SiC MOSキャパシタ界面近傍における電子と正孔の膜中トラップ密度分布の比較

〇藤野 雄貴¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、膜中欠陥、過渡応答

SiCの熱酸化で得られるMOSキャパシタにおいて、界面近傍の絶縁膜内部に形成された膜中準位の存在が指摘されている。我々は、キャリアがトンネル効果によって絶縁膜中の準位に捕獲されるモデルに基づき、応答の時定数に分布を持つ準位が引き起こす過渡応答から膜中準位密度を解析し、これまで伝導帯近傍の電子トラップの定量化を行った。今回は、正孔についても同測定を適用し、電子・正孔トラップの密度分布を比較した。