[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-20] 実動作に則した閾値電圧変動の動的評価

〇岡本 光央¹、染谷 満^1,2、原田 信介¹、矢野 裕司³、奥村 元¹ (1.産総研、2.富士電機、3.筑波大学)

キーワード：MOS電界効果トランジスタ、閾値電圧不安定性、閾値電圧シフト

我々はVth変動評価方法として、VgスイープせずにVth測定をストレス印加と同時に行う測定（緩和無し法）を提案してきたが、ストレス印加初期の変動を見落としているという問題があった。本研究では、高速IV測定装置を用いた緩和無し測定を行うことにより、変動初期の正確な評価を試みた。さらにMOSデバイスの実動作を鑑み、ACストレス印加時のVth変動を高速測定によって動的に観察した。