[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-21] SiC-MOSFETのスイッチング動作による劣化(AC-PBTI)

〇古市 貴大¹、交易場 良輔¹、靏 爽稀¹、村上 英一¹ (1.九州産業大学)

キーワード：SiC-MOSFET、AC-PBTI

SiC-MOSFETは高温動作で新たに界面トラップや膜中トラップが発生し特性が劣化することが課題であるが、逆バイアスでの回復性も報告されている。そこで本研究ではDC-PBTIと、実使用に対応するスイッチング(AC)動作での劣化を実測した。DCストレスの劣化後に逆バイアスをかけることで回復する結果が得られた。また、ACストレス時にOFF時のVgsを負にするとDuty比が高くても劣化が大きく抑制されることが分かった。