[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-3] 4H-SiC C面 on-axis基板上のスパイラル成長

〇升本 恵子¹、齊藤 新吾¹、児島 一聡¹、加藤 智久¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：SiC、スパイラル成長、on-axis基板

SiCデバイスの高耐圧化に必要な厚膜エピを実現するため、ステップが存在しなくても基板の多形を引き継ぐことのできるスパイラル成長に着目した。今回、4H-SiC C面on-axis基板上にエピ成長を行い、スパイラル成長発生のための条件や結晶欠陥などを評価した。成長初期の成長速度を遅くすることが3Cインクルージョンの抑制に重要であることが分かった。また、異なる螺旋転位から発生したスパイラル成長間の界面に転位の発生は確認されなかった。