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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:00 H101 (本館)

加藤正史(名工大)、岡本光央(産総研)、染谷満(富士電機)

14:00 〜 14:15

[20p-H101-4] 電位コントラスト法による4H-SiCエピタキシャル層の拡張欠陥観察

〇木村嘉伸¹、津野夏規¹、沖野泰之¹、毛利友紀¹、大野俊之¹、山田廉一¹ (1.日立研究開発グループ)

キーワード：シリコンカーバイド、結晶欠陥、走査電子顕微鏡

　　　