[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-5] 4H-SiCにおける表面再結合速度の解析制度向上

〇小濱 公洋¹、加藤 正史¹、市村 正也¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、SiC、表面再結合速度