2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:00 H101 (本館)

加藤 正史(名工大)、岡本 光央(産総研)、染谷 満(富士電機)

14:45 〜 15:00

[20p-H101-7] p型SiCの電気化学エッチングにおける酸化物除去過程についての考察

榎薗 太郎1、木本 恒暢1、須田 淳1 (1.京大工)

キーワード:電気化学エッチング、炭化ケイ素、微小電気機械システム

SiC MEMSデバイス作製に必要とされるp-SiCとn-SiCの選択エッチング手法として電気化学エッチング(ECエッチング)がある。ECエッチングには、均一なエッチングや、エッチングの異方性制御などが要請されるが、その実現には反応メカニズムの理解が重要である。そこで 今回、一定電流を流してECエッチングを行った際の印加電圧の時間変化に注目することで、その時の反応について考察したので報告する。