[20p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20p-H103-11] 軟X線照射によるSi含有水素化DLC膜の膜改質

〇(M1C)田中 祥太郎¹、長谷川 孝行^1,2、岡田 真¹、松井 真二¹、神田 一浩¹ (1.兵県大高度研、2.合同会社シンクロトロンアナリシスLLC)

キーワード：Si-DLC、軟X線、NEXAFS

Si含有水素化DLC膜は軟X線照射によって、何も添加していない水素化DLC膜に比べて水素脱離が大きく抑えられることが報告されている。しかし、体積は減少していくことが明らかとなった。したがって、Si含有水素化DLC膜は水素の脱離によらない膜の改質が起こっていると考えられる。そこで本研究ではSi含有水素化DLC膜特有の改質過程をNEXAFSなどの結果から議論する。