[20p-H111-1~9] 機能性酸化物探索の新展開　～more oxide, beyond oxide～

[20p-H111-7] Fe₃O₄薄膜の酸化還元反応を利用した全固体磁気特性制御デバイス

〇土屋 敬志^1,2、寺部 一弥²、尾地 真典¹、樋口 透¹、長田 実²、山下 良之²、上田 茂典²、青野 正和² (1.東京理大理、2.物材機構)

キーワード：イオニクス、磁性

近年、様々な磁気効果(磁気抵抗(MR)効果、巨大磁気抵抗(GMR)効果、トンネル磁気抵抗(TMR)効果、磁気光学(MO)効果等)が情報通信デバイス、特に高容量メモリ素子に応用されている。磁気特性の新しい制御法が開発されれば、従来技術で得られない特性・性能を有する新規なメモリ素子の創出に繋がる可能性がある。そこで本研究では固体電解質薄膜を用いたイオンの脱・挿入による強磁性酸化物薄膜の酸化還元反応で磁気特性を制御可能な全固体デバイスの作製を行った。本講演では強磁性酸化物としてFe₃O₄、固体電解質としてLi₄SiO₄を用いたデバイスの磁気特性の制御挙動について報告する。