[20p-H112-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

[20p-H112-12] Homogeneous Bulk SiGe Crystals Grown by the TLZ Method (2) Hall Mobility

〇Tatsuro Maeda¹, Hiroyuki Hattori¹, Wen Hsin Chang¹, Kyoichi Kinoshita², Yasutomo Arai² (1.AIST, 2.JAXA)

Keywords:SiGe,Mobility

SiGeは、その高い移動度とSiプロセスとの整合性からチャネル材料やストレッサーとしてSi-CMOS技術の中に多く適用されている。しかしながら、SiGeを利用したデバイス設計にはSiGe バルク結晶の基本物性値が必須にもかかわらず、最も基本的な電気特性である移動度でさえも1960年代以降ほとんど報告例がないのが現状である。その理由として、広い組成領域で均一性の高いSiGe結晶の育成が困難であることが挙げられる。近年、JAXAよりTLZ法にて比較的大面積で均一なSiGe単結晶が得られるようになったことから、今回そのホール効果移動度を評価した結果、これまでの報告結果よりも高い値が得られたので報告する。