[20p-H112-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[20p-H112-12] TLZ法を利用した均一組成バルクSiGe結晶（2）移動度評価

〇前田 辰郎¹、服部 浩之¹、Chang Wen Hsin¹、木下 恭一²、荒井 康智² (1.産業技術総合研究所、2.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：SiGe、移動度

SiGeは、その高い移動度とSiプロセスとの整合性からチャネル材料やストレッサーとしてSi-CMOS技術の中に多く適用されている。しかしながら、SiGeを利用したデバイス設計にはSiGe バルク結晶の基本物性値が必須にもかかわらず、最も基本的な電気特性である移動度でさえも1960年代以降ほとんど報告例がないのが現状である。その理由として、広い組成領域で均一性の高いSiGe結晶の育成が困難であることが挙げられる。近年、JAXAよりTLZ法にて比較的大面積で均一なSiGe単結晶が得られるようになったことから、今回そのホール効果移動度を評価した結果、これまでの報告結果よりも高い値が得られたので報告する。