[20p-H112-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20p-H112-8] MOCVD法を用いたin situ PドープGe薄膜のエピタキシャル成長

〇池 進一^1,2、志村 洋介¹、竹内 和歌奈¹、中塚 理¹、財満 鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)

キーワード：ゲルマニウム、n型ドーピング、MOCVD