[20p-H113-1~13] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[20p-H113-10] Evaluation of SiC crystal with laser annealing (3)

〇Hidekazu Yamamoto¹, Mizuki Uchimori¹, Fulvio Mazzamuto², Jongduk Kim³, Shuichi Ono⁴, Manabu Arai⁴ (1.Chiba Inst., 2.SCREEN/LASSE, 3.Park Systems, 4.New Japan Radio)

Keywords:wide gap semiconductor,power device

SiCにおいては、ドーパント不純物の活性化に1700℃以上の高温熱処理が必要であり、製造プロセスの課題となっている。我々は、SiC中不純物の活性化にレーザーアニールを適用することを検討してきている。前回、ラマン散乱分光による評価の結果、レーザーアニールがイオン注入後の結晶性回復に有効であることを報告した。今回は、ラマン散乱分光による表面Si層およびC層の評価および原子間力顕微鏡（AFM：Atomic Force Microscope）による評価結果を報告する。