[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-10] ステップ高さ制御SiC基板上AlN層の高分解能X線回折評価における界面局在ミスフィット転位に起因する横方向サテライトピーク

〇金子 光顕¹、木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、X線回折、炭化珪素

X線回折における横方向サテライトピークは、格子不整合系へテロエピタキシャル成長において格子緩和している際、ミスフィット転位が周期性をもって界面に局在、配列している場合に観測される。他材料系で報告があるものの、窒化物半導体では報告が無かった。我々が実現したステップ高さ制御SiC基板上高品質AlN層において、基板ステップ端に配列した転位起因の横方向サテライトピークの観測に成功したので報告する。