[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-H121-12] Microscopic characterization of spiral Growth of GaN by Conductive-AFM

〇Kazukiu Komura¹, Aranami Manato¹, Araki Tsutomu¹, Nanishi Yasushi¹, Akasaka Tetsuya² (1.Ritsumeikan.Univ., 2.NTT Basic Research Lab.)

Keywords:GaN,AFM

一般的にGaNはSapphire基板上に成長させるため、格子不整合が大きくなり、非常に高い密度の貫通転位が存在する。これらの転位は、リーク電流のパスとなることが知られており、GaN系デバイスの大きな問題となっている。そこで、リーク電流の起源を解明することによって、デバイスのさらなる高性能化に寄与できるものと考えられる。本研究では、転位・ステップを制御してスパイラル成長させたGaNに対して、C-AFMによる極微領域評価を行った。