[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-12] C-AFMによるスパイラル成長したGaNの極微領域評価

〇小村 一樹¹、荒浪 誠生¹、荒木 努¹、名西 憓之¹、赤坂 哲也² (1.立命館大、2.NTT物性科学基礎研)

キーワード：GaN、AFM

一般的にGaNはSapphire基板上に成長させるため、格子不整合が大きくなり、非常に高い密度の貫通転位が存在する。これらの転位は、リーク電流のパスとなることが知られており、GaN系デバイスの大きな問題となっている。そこで、リーク電流の起源を解明することによって、デバイスのさらなる高性能化に寄与できるものと考えられる。本研究では、転位・ステップを制御してスパイラル成長させたGaNに対して、C-AFMによる極微領域評価を行った。