2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木 努(立命館大)、船戸 充(京大)、尾沼 猛儀(工学院大)

16:30 〜 16:45

[20p-H121-13] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果

平間 一行1、谷保 芳孝1、山本 秀樹1、熊倉 一英1 (1.NTT物性研)

キーワード:立方晶窒化ホウ素、MBE、ダイヤモンド