[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-15] RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのEu濃度依存性

〇(M1)今西 智彦¹、関口 寛人¹、西川 聡志¹、尾崎 耕平¹、山根 啓輔¹、岡田 浩^2,3、岸野 克己³、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS、3.上智大理工)

キーワード：ユーロピウム、ナノコラム

Eu添加GaN(GaN:Eu)はシャープな発光線幅，発光波長の環境温度安定性を示す．光学特性の更なる改善を目指し，RF-MBE法を用いてGaNナノコラム上にGaN:Euナノコラムを成長した．Eu濃度の増加は多結晶成長を促したが，Eu³⁺からのシャープな赤色発光はEu濃度の増加とともに単調に増加し，一般的にEu添加GaNにおいて観測される発光強度の濃度消光はEu濃度3.0%までにおいては観測されなかった．