[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-H121-17] Localized Emission from InGaN Islands Formed in N-polar InGaN/GaN LEDs

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Kanako Shojiki¹, Ryuji Katayama¹, Shigeyuki Kuboya¹, Takashi Matsuoka¹ (1.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:nitride semiconductor,light-emitting diode,N-polar

MOVPE法を用いてサファイア基板上に成長したN極性面InGaN/GaN LEDの光学特性および微視構造を詳細に評価した。EL発光ピーク（2.26 eV）はInGaN井戸の主たる遷移エネルギーにあたるERスペクトルの臨界点（2.84 eV）より0.58 eV程度低エネルギーで、巨大なストークスシフトを有することが観測された。TEMおよびEDX分析から、約3 nm幅のInGaN井戸内に高さ10 nm程度、直径50 nm程度の高InNモル分率を有するInGaN微小島が自己形成されていることが分かった。