[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-H121-17] N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

〇谷川 智之¹、正直 花奈子¹、片山 竜二¹、窪谷 茂幸¹、松岡 隆志¹ (1.東北大金研)

キーワード：窒化物半導体、発光ダイオード、窒素極性

MOVPE法を用いてサファイア基板上に成長したN極性面InGaN/GaN LEDの光学特性および微視構造を詳細に評価した。EL発光ピーク（2.26 eV）はInGaN井戸の主たる遷移エネルギーにあたるERスペクトルの臨界点（2.84 eV）より0.58 eV程度低エネルギーで、巨大なストークスシフトを有することが観測された。TEMおよびEDX分析から、約3 nm幅のInGaN井戸内に高さ10 nm程度、直径50 nm程度の高InNモル分率を有するInGaN微小島が自己形成されていることが分かった。