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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木努(立命館大)、船戸充(京大)、尾沼猛儀(工学院大)

18:00 〜 18:15

△ [20p-H121-18] Si/SiO₂/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積

〇(DC)土山和晃¹、宇都宮脩¹、中川翔太¹、山根啓補¹、関口寛人¹、岡田浩^2,1、若原昭浩^1,2 (1.豊技大工、2.EIIRIS)

キーワード：モノリシック集積、ウェハ接合

　　　