[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-4] 貫通転位の絶縁膜/GaN 界面への影響評価

〇横川 俊哉¹、山本 雄大¹、栫 拓也¹、西平 貴則¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大工)

キーワード：窒化物系半導体、絶縁膜、電気的特性

一般にGaN 系HFET においてはパッシベーション膜を適用することで電流コラプスの抑制がで
き特性改善が得られる。またMISFET もゲートリーク電流の低減の効果から開発が進んでいる。
また最近SiC などから格子整合系のバルクGaN 基板を用いることにより電流コラプスなどの抑制
効果が示されている。しかしエピ条件や構造を統一して絶縁膜/GaN 界面の電気特性と転位との関
係を系統的に比較評価した結果は少ない。今回我々は、サファイア、低転位バルクGaN、そして
選択再成長によって転位を低減したGaN テンプレートなどを用いて転位密度を変化させ、その上
に絶縁膜を形成して材料的な評価と電気的な比較によりその影響を調べたので報告する。