[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-5] PXD法によるハフニウム上へのGaN薄膜成長

金 惠蓮¹、〇太田 実雄^1,2、井上 茂¹、小林 篤¹、上野 耕平¹、藤岡 洋^1,3 (1.東大　生研、2.JSTさきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：pulsed excitation deposition