[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-6] 擬似Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ZnSnN₂結晶合成

〇川村 史朗¹、今井 基晴¹、谷口 尚¹、山田 直臣² (1.物質・材料研究機構、2.中部大工)

キーワード：ZnSnN2、複分解反応、バルク結晶

ウルツァイト型構造における3価カチオンサイトを2価と4価のカチオンで交互に置き換えた構造を有する擬似Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ZnSnN₂結晶は、バンドギャップ1.4eVを有する直接遷移型の半導体であることが理論計算から分かっていたが、高品質結晶の合成が困難であった。今回、我々は複分解反応を用いることで、容易に高品質ZnSnN₂結晶の合成が可能であることを実証した。