2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木 努(立命館大)、船戸 充(京大)、尾沼 猛儀(工学院大)

15:00 〜 15:15

[20p-H121-8] 窒化物半導体への低濃度ドーピング技術の開発

〇荒川 靖章1、上野 耕平1、太田 実雄1,2、藤岡 洋1,3 (1.東大生研、2.JST-さきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：GaN、スパッタ