[20p-H137-1~15] 7.5 Ion beams

[20p-H137-14] Reactive etching by ClF₃-Ar neutral cluster beam with scanning

〇Toshio Seki¹, Yu Yoshino², Kunihiko Koike², Takaaki Aoki¹, Jiro Matsuo¹ (1.Kyoto Univ., 2.Iwatani Corp.)

Keywords:cluster,neutral beam,etching

反応性の高い三フッ化塩素(ClF₃)ガスの中性クラスタービームを用いると、単結晶Siを高速に異方性エッチングでき、ダメージの極めて少ない高精度な加工を実現できる。しかし、スキャンをしながらパターンエッチングを行った場合、固定照射に比べてトレンチ内の側壁エッチングが大きくなり、アスペクト比が低下してしまう課題があった。そこで、今回はスキャンしながらエッチングした際のエッチング特性について報告する。