[20p-H137-1~15] 7.5 Ion beams

[20p-H137-13] Incident angle dependence of etching effects of metals with O₂-GCIB in acetic acid atmosphere

〇Akihiro Ogawa¹, Noriaki Toyoda¹, Isao Yamada¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:GCIB,STT-MRAM,acetic acid

イオンミリングやプラズマエッチングで生じるパターン側壁への再付着金属を、酢酸雰囲気下O₂-GCIB照射によって除去可能かどうかを検討するため、エッチング効果の角度依存性を調べた。酢酸雰囲気下で入射角度70^o、加速電圧5kVでO₂-GCIBを照射することにより、Ru,CoFeを効率的にエッチング可能であり、照射後のCoFe表面にほとんど変質層がないことがわかった。