[20p-P13-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-P13-13] p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因子

〇梶川 靖友¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：最近接ホッピング伝導、不純物帯伝導、ホール因子

最近接ホッピング伝導に対するホール因子A_ibがA_ib=(k_BT/J)exp(T_0H/T)のように温度変化するとして、p型InPおよびGaNのホール効果測定結果を解析した。アクセプタの不純物帯中の正孔のホッピング伝導であるにもかかわらず，この不純物帯伝導のホール因子が負であるとしてフィッティングすることにより，MgドープInPおよびGaNのホール効果測定結果をよく再現できた。