[20p-P14-1~23] 13.10 化合物太陽電池

△ [20p-P14-3] 低エネルギー電子線フラックスがGaAs太陽電池へ及ぼす影響

〇(DC)奥野 泰希¹、奥田 修一¹、岡 喬¹、川北 史郎^1,2、今泉 充²、艸分 宏昌² (1.大阪府立大学、2.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：非イオンエネルギー損傷、電子線、GaAs太陽電池

Non-ionizing energy loss(NIEL)によって、半導体中の原子のはじき出しエネルギー閾値は予測される。InGaP太陽電池はNIELで欠陥が生成されないことが予測された電子線照射によって性能が劣化することが明らかになった。GaAs太陽電池は、NIELによって250 keV以下での電子線照射では、欠陥がほとんど生成されないことが予測された。本研究では、GaAs太陽電池へフラックスを変えた70 keVの電子線を照射し、性能の劣化を観測した。