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△ [20p-P14-4] Electrochemical formation of Cu2O/InP hetero-interfaces
Keywords:Cu2O,InP,Solar Cell
化合物半導体であるn-InP上に電気化学的手法によりCu2Oを堆積した。Cu2Oは無ドーピングでp型を示す材料であり、n-InPとのヘテロ接合を形成することにより太陽電池応用を目指す。本発表では、電気化学的手法により堆積したCu2Oの電気的特性やCu2O/InPの光電気化学測定による光吸収特性について述べる。さらに、InPは電気化学的手法により多孔質構造化が可能であるため、この構造にCu2Oを埋め込み、光吸収特性について述べる。