[20p-P14-1~23] 13.10 化合物太陽電池

△ [20p-P14-4] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ界面の形成

〇(M1)近江 沙也夏¹、熊崎 祐介¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：Cu2O、InP、太陽電池

化合物半導体であるn-InP上に電気化学的手法によりCu₂Oを堆積した。Cu₂Oは無ドーピングでp型を示す材料であり、n-InPとのヘテロ接合を形成することにより太陽電池応用を目指す。本発表では、電気化学的手法により堆積したCu₂Oの電気的特性やCu₂O/InPの光電気化学測定による光吸収特性について述べる。さらに、InPは電気化学的手法により多孔質構造化が可能であるため、この構造にCu₂Oを埋め込み、光吸収特性について述べる。