[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[20p-P16-2] 窒素δドープGaAs上InAs量子ドットにおけるIn-Gaインターミキシング制御

〇海津 利行^1,2、喜多 隆² (1.神戸大研究基盤セ、2.神戸大院工)

キーワード：量子ドット、原子層窒素ドープ、インターミキシング