1:30 PM - 3:30 PM
△ [20p-P9-16] InGaAs-HEMTs with two-step recessed gates by Ar plasma etching
Keywords:HEMT,InP,InGaAs
InGaAsをチャネルとしたInP系HEMTをさらに高速化する手段としてのArプラズマエッチングの効果を示した。しかし、Arプラズマエッチングに よるデバイスへのダメージも確認された。検証した結果、エッチングによるダメージが顕著に効いてくる原因を特定できた。このことを念頭に置き、エッチング 条件を詰めていくことで、デバイスへのダメージを軽減したプロセスへの見通しを立てることができた。