The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Sun. Mar 20, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P9 (Gymnasium)

1:30 PM - 3:30 PM

[20p-P9-16] InGaAs-HEMTs with two-step recessed gates by Ar plasma etching

TOMOTAKA HOSOTANI1, Taiichi Otsuji1, Tetsuya Suemitsu1 (1.RIEC, Tohoku Univ.)

Keywords:HEMT,InP,InGaAs

InGaAsをチャネルとしたInP系HEMTをさらに高速化する手段としてのArプラズマエッチングの効果を示した。しかし、Arプラズマエッチングに よるデバイスへのダメージも確認された。検証した結果、エッチングによるダメージが顕著に効いてくる原因を特定できた。このことを念頭に置き、エッチング 条件を詰めていくことで、デバイスへのダメージを軽減したプロセスへの見通しを立てることができた。