[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-2] GaN自立基板を用いたInAlN/AlN/GaN HEMTのデバイス特性

〇山下 良美¹、渡邊 一世¹、遠藤 聡^1,2、笠松 章史¹、三村 高志^1,2 (1.情報通信研究機構、2.富士通研)

キーワード：GaN、HEMT、InAlN

GaN HEMTは高周波パワーデバイスとして期待されており、ミリ波帯(30~300 GHz)で動作する高出力アンプ実現に向けた研究が行われている。本報告では、GaN自立基板とSiC基板を比較したInAlN/AlN/GaN HEMTデバイス特性の結果について述べる。