The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Sun. Mar 20, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P9 (Gymnasium)

1:30 PM - 3:30 PM

[20p-P9-20] Fabrication of rectenna circuit using diamond Schottky barrier diodes

〇(B)Naoto Kawano1, Oishi Toshiyuki1, Kasu Makoto1 (1.Saga Univ.)

Keywords:diamond,rectenna,schottky barrier diode

無線電力伝送には,高出力,高効率なレクテナ回路が必要であり,ダイヤモンドは高絶縁破壊電界であるため非常に有望である.今回,レクテナ回路に用いる素子としてダイヤモンドを半導体材料としたショットキーバリアダイオードを作製したうえで,ダイヤモンドレクテナ回路を作製した.