[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-3] Mg concentration dependence of the SiO₂-MOSFETs on the GaN substrate

〇Katsunori Ueno¹, Shinya Takashima¹, Takuro Inamoto¹, Hideaki Matsuyama¹, Masaharu Edo¹, Kiyokazu Nakagawa² (1.Fuji Electric, 2.Univ. of Yamanashi)

Keywords:GaN,SiO2,MOSFET

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。パワー用途でのスイッチングデバイス実現には絶縁ゲート駆動でノーマリオフ型が望まれており、近年は自立基板の普及に伴い縦型MOSFETの開発も検討がされ始めた。これらのFETデバイスにおいてGaN上の MOS界面の制御は、FETの特性を左右する重要な要素技術であり、これまでは主にサファイア上やSi上にヘテロエピ成長したGaN結晶上で検討がなされてきた。昨年秋の応用物理学会にて自立基板GaN上に作製したSiO₂-MOSFETの初期特性について報告したが、今回はドープしたMg濃度の依存性について調べたので報告する。