[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-4] Effect of Insertion of Al₂O₃ Ultrathin Layer into PECVD SiO₂/InAlN Interface

〇(M1)atsushi seino¹, Taito Hasezaki¹, Naoshige Yokota¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE Hokkaido Univ.)

Keywords:InAlN,Interface state density

InAlNはGaNとの格子整合が可能で、HEMTのバリア層材料として研究が進められており、絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減、さらには400GHzの遮断周波数が達成されている。代表的な絶縁膜であるAl₂O₃はInAlNと良好な特性を有する界面を形成するが、SiO₂はより大きな禁制帯幅を有する。本報告においては、デバイス作製プロセスの自由度を広げるために、一般に広く用いられているプラズマCVD法により形成したSiO₂/InAlN界面の特性を、極薄Al₂O₃層挿入により制御することを試みた結果を報告する。