[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-3] SiO₂を用いたGaN基板上MOSFETのMg濃度依存性

〇上野 勝典¹、高島 信也¹、稲本 拓朗¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機（株）、2.山梨大)

キーワード：GaN、SiO2、MOSFET

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。パワー用途でのスイッチングデバイス実現には絶縁ゲート駆動でノーマリオフ型が望まれており、近年は自立基板の普及に伴い縦型MOSFETの開発も検討がされ始めた。これらのFETデバイスにおいてGaN上の MOS界面の制御は、FETの特性を左右する重要な要素技術であり、これまでは主にサファイア上やSi上にヘテロエピ成長したGaN結晶上で検討がなされてきた。昨年秋の応用物理学会にて自立基板GaN上に作製したSiO₂-MOSFETの初期特性について報告したが、今回はドープしたMg濃度の依存性について調べたので報告する。