[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-6] InAlN/GaNヘテロ構造のInAlNバリア層における成長速度依存性

〇浦山 雄也¹、渡邉 新¹、江川 孝志¹ (1.名古屋工業大学大学院)

キーワード：半導体、InAlN、GaN