[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-7] GaN/AlGaN/GaN Hetero-epitaxial-growth using by Large-diameter-Face-to-face-Vertical-type MOCVD Reactor

〇Fumihiko Nakamura¹, Shoko Hirata¹, Hiroshi Sugiura¹, Hiroji Kawai¹ (1.POWDEC K.K.)

Keywords:semiconductor

GaN電子デバイス用に150mm, 200mmの大口径MOCVD装置を新規に開発した。この装置は基板が対向する配置の縦型炉である。この装置を用い150mmφｻﾌｧｲｱ基板上にAlGaN/GaNへテロ構造を作製した。AlGaN層の均一性は、Al組成；23.3% (σ；1.1%)、AlGaN膜厚；20.1±0.4nm。このときシート抵抗は、527ohm/sq (σ；2.63%) となり良好な均一性を示した。またGaNAlGaN/GaNへテロ構造を作製しFET特性も評価した。