[20p-S011-1~8] 13.10 化合物太陽電池

[20p-S011-4] 逆積み1.0 eV帯GaInAsP薄膜太陽電池における暗電流の低減

〇大島 隆治¹、牧田 紀久夫¹、太野垣 健¹、菅谷 武芳¹ (1.産総研)

キーワード：III-V化合物半導体、太陽電池、分子線エピタキシー

高品質なIII-V太陽電池では注入キャリアによる発光再結合の暗電流への寄与が無視できない。発光したフォトンを効果的にセルから取り出せた場合、暗電流が減少し開放電圧を増大させることができる。本発表ではGaInAsP (1.05 eV)のセル特性の向上を目的として、Si支持基板に転写した逆積み薄膜セルを検討した結果について報告する。従来型n/pセルの開放電圧0.54 Vに対して、逆済み薄膜セルでは暗電流が減少し開放電圧が0.60 Vに増大した。