2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館)

渡邉 孝信(早大)、舟窪 浩(東工大)

13:45 〜 14:00

[20p-S221-1] 【注目講演】コンダクタンス法による二硫化モリブデンMOS界面特性評価

〇小澤 悠平1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

キーワード：二硫化モリブデン、界面特性、コンダクタンス法